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第三届高离化率磁控多弧放电与应用技术研讨会在实验室召开
发布人:系统管理员  发布时间:2015-10-27   浏览次数:1045
 

第三届高离化率磁控多弧放电与应用技术研讨会于20151017-18日在哈工大先进焊接与连接国家重点实验室楼714会议召开。高离化率是镀膜的未来发展和研究热点。第一届研讨会于2012年哈工大召开,第二届在沈阳科仪召开,本次为第三届学术研讨会,旨在促进提高离化率、获得高等离子体密度的技术及应用方面的学术交流,推动镀膜技术的进步。同时也提升了实验室在该领域的影响。

会议组织者为实验室田修波教授和台湾中兴大学吕福兴教授。与会代表还包括沈阳科友渠洪波总经理、北京禾木科技总经理董哲、辽宁科技大学周艳文教授、沈阳金属所赵彦辉博士及肖金泉研究员、哈尔滨商业大学刘壮副教授、大连金泰白春阳总经理、哈尔滨工程大学金国教授、佳木斯大学吴明忠副教授、东北林业大学李春伟博士等30多人参加了此次会议。与会代表纷纷表示这种小型深层次研讨对于学术交流和企业发展具有重要的意义。