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2012高功率脉冲磁控放电(HPPMS)与应用研讨会
发布人:系统管理员  发布时间:2012-11-29   浏览次数:1421
 
        自上世纪90年代末,第一个高功率脉冲磁控溅射(HPPMS/Hipims)研究问世,欧洲、美国等已经走在世界前列。该技术能够获得磁控溅射的高离化率(可达60-80%),被誉为没有大颗粒的多弧离子镀。与传统磁控溅射相比,采用该技术获得的膜层致密、膜基结合力高、膜层厚度均匀、靶中毒倾向降低、膜层内应力可著降低、膜基结合力高等,因此学术界和企业界对这种技术表现出极大的兴趣。国外已经连续举办了Hipims技术的研讨会,并且在美国ICMCT会议、德国PSE以及PBIID等国际会议均有HPPMS分会场。国内的研究刚刚起步,在此背景下先进焊接与连接国家重点实验室将于2012年11月29-30日在哈工大举办“2012高功率脉冲磁控放电(HPPMS)与应用研讨会”。旨在促进高功率脉冲磁控放电及应用的学术交流,推动镀膜技术的进步。
 
主办单位:
         哈工大先进焊接与连接国家重点实验室
         台湾明道大学表面工程研究中心
 
会议组织人:
         田修波(哈尔滨工业大学),
         张奇龙(台湾明道大学)
 
会议秘书
         巩春志:0451-86418784,13936587106
         潘  虹:0451-86418784,15846108155
 
 会议主题:
         1)  高功率脉冲磁控溅射电源技术
         2)  高功率磁控溅射放电特性
         3)  高功率脉冲磁控溅射的镀膜应用
         4)  外源增强的磁控溅射技术
         5)  复合磁控溅射镀膜技术
         6)  新型放电技术在镀膜中的应用
         7)  其他等离子体相关镀膜技术 
 
会议日期:
         2012年12月29-30日
 
会议地点:
        哈工大先进焊接与连接国家重点实验室(哈工大材料楼714房间)
        黑龙江省哈尔滨市西大直街92号
 
会议日程:
29日:报到
30日:上午:口头报告,材料楼714
             中午:午餐,哈工大西苑宾馆
             下午:讨论与参观