自上世纪90年代末，第一个高功率脉冲磁控溅射（HPPMS/Hipims）研究问世，欧洲、美国等已经走在世界前列。该技术能够获得磁控溅射的高离化率（可达60-80%），被誉为没有大颗粒的多弧离子镀。与传统磁控溅射相比，采用该技术获得的膜层致密、膜基结合力高、膜层厚度均匀、靶中毒倾向降低、膜层内应力可著降低、膜基结合力高等，因此学术界和企业界对这种技术表现出极大的兴趣。国外已经连续举办了Hipims技术的研讨会，并且在美国ICMCT会议、德国PSE以及PBIID等国际会议均有HPPMS分会场。国内的研究刚刚起步，在此背景下先进焊接与连接国家重点实验室将于2012年11月29-30日在哈工大举办“2012高功率脉冲磁控放电（HPPMS）与应用研讨会”。旨在促进高功率脉冲磁控放电及应用的学术交流，推动镀膜技术的进步。
主办单位：
哈工大先进焊接与连接国家重点实验室
台湾明道大学表面工程研究中心
会议组织人：
田修波（哈尔滨工业大学），
张奇龙（台湾明道大学）
会议秘书：
巩春志：0451-86418784，13936587106
潘 虹：0451-86418784，15846108155
会议主题：
1） 高功率脉冲磁控溅射电源技术
2） 高功率磁控溅射放电特性
3） 高功率脉冲磁控溅射的镀膜应用
4） 外源增强的磁控溅射技术
5） 复合磁控溅射镀膜技术
6） 新型放电技术在镀膜中的应用
7） 其他等离子体相关镀膜技术
会议日期：
2012年12月29-30日
会议地点：
哈工大先进焊接与连接国家重点实验室（哈工大材料楼714房间）
黑龙江省哈尔滨市西大直街92号
会议日程：
29日：报到
30日：上午：口头报告，材料楼714
中午：午餐，哈工大西苑宾馆
下午：讨论与参观