高性能材料制备与连接方向取得重大研究进展
利用固态电介质调制MoS2/石墨烯异质结构的激子态行为利用电化学电介质作为栅极调制了MoS2/石墨烯异质结构的光致发光特性，并系统研究了异质结构激子态行为随栅极电压的变化规律。发现MoS2/石墨烯异质结构激子强度以及负激子与中性激子强度比调制范围分别高达200及30，激子态位置偏移高达40meV。通过计算MoS2载流子浓度及界面处的接触势垒，发现MoS2载流子浓度的变化与界面处激子的层间弛豫共同决定MoS2/石墨烯的光致发光行为，即在正向偏压下激子的层间弛豫对MoS2/石墨烯光致发光的调制起主要作用；而在负向偏压下，MoS2载流子浓度的变化决定光致发光行为。此外，通过电场调制WSe2/石墨烯及WSe2/MoS2/石墨烯异质结构的光致发光行为，发现WSe2与石墨烯界面处激子的层间弛豫决定着WSe2/石墨烯异质结构的光致发光调控，而WSe2中载流子浓度的变化起次要作用。此外，WSe2/石墨烯界面处的层间弛豫能力甚至要强于MoS2/石墨烯及WSe2/MoS2界面处的层间弛豫能力。栅极电场使得单层WSe2与石墨烯之间的层间耦合作用增强，导致晶格平衡破坏，相邻晶格离子间的相互作用发生变化，最终使
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