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我实验室共同组织的“第二届高离化率磁控多弧放电与应用技术研讨会”在沈阳举办
发布人:系统管理员  发布时间:2014-12-17   浏览次数:856

    第二届“高离化率磁控多弧放电与应用技术研讨会”于201412月14-15日在中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司召开,会议组织者为沈阳科仪雷震霖董事长和哈工大田修波教授。美国西南研究院魏荣华博士、沈阳科仪李昌龙总经理、张振厚副总经理、科学院力学所李光博士、辽宁科大周彦文博士、上海妙壳镀膜公司黄仕江总经理、科学院金属所赵彦辉博士、东北大学蔺增博士、吉林力科镀膜公司李明南总经理等30多人参加。大家热烈研讨了高离化率真空PVD技术的发展与应用现状,并希望技术和资源共享、加速国内镀膜技术发展。

    会议背景:高密度等离子体镀膜技术已经受到工业界重视。上世纪90年代末高功率脉冲磁控溅射出现,该技术能够获得磁控溅射的高离化率(可达60-80%),学术界和企业界对此表现出极大的兴趣。与此同时外源辅助或磁场/电场等外场增强的高离化率磁控溅射也受到人们青睐。传统的多弧技术通过电-磁场控制弧斑运动以及偏压调制等技术手段迎来洁净镀膜时代。201212月在哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室举办了第一届“高离化率磁控放电与应用技术研讨会”,本次为第二届研讨会,旨在促进国内高离化率洁净镀膜技术的学术交流,推动国内镀膜技术的进步。